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半导体设备入门--刻蚀CCP
发布时间：
2025-07-24
CCP 是利用平行板电容器原理来不断激发产生等离子体，射频电源施加在平行板的两极上，工艺气体进入反应腔体中。进入腔体中的反应气体在射频电源的激发下产生等离子体。
CCP 是利用平行板电容器原理来不断激发产生等离子体，射频电源施加在平行板的两极上，工艺气体进入反应腔体中。进入腔体中的反应气体在射频电源的激发下产生等离子体。带电粒子在电场力的作用下，向Wafer 表面不断的轰击，从而去除Wafer 表面的材料，达到刻蚀的目的。
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